Manyetik alanda Sıçratma Yöntemi...
Bilgi Kulübü kategorisinde ve Kimya forumunda, bulunan Manyetik alanda Sıçratma Yöntemi... konusunu görüntülemektesiniz. ÖZET Manyetik alanda sıçratma, ince filmlerin fiziksel buhar biriktirme yöntemleriyle kaplanmasında çok kullanılan yöntemlerden biridir. İlk kullanılmaya başlandığı yıllarda, kaplama ...
|
|||||||
|
Kayıt | SSS | Üye Listesi | Takvim | Konuları Okundu İşaretle |
10-06-2008, 13:21
|
#1 (permalink) |
Manyetik alanda Sıçratma Yöntemi...
ÖZET Manyetik alanda sıçratma, ince filmlerin fiziksel buhar biriktirme yöntemleriyle kaplanmasında çok kullanılan yöntemlerden biridir. İlk kullanılmaya başlandığı yıllarda, kaplama özellikleri istenildiği gibi olmasa da, manyetik alanda sıçratma yönteminde yapılan değişikliklerle günümüzde istenilen özellikte ****l, alaşım, seramik, yalıtkan malzemeler ve çok katlı kaplamalar yapmak mümkün olmaktadır. Bu çalışmada, daha çok sıçratmayı esas alan fiziksel buhar biriktirme yöntemleri üzerinde durulmuş ve manyetik alanda sıçratmanın temel bilgileri verilerek, bu yöntemdeki gelişmeler-dengesiz manyetik alanda sıçratma, kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma, darbeli manyetik alanda sıçratma-üzerinde durulmuştur. Anahtar sözcükler: Fiziksel buhar biriktirme, manyetik alanda sıçratma, dengesiz manyetik alanda sıçratma, kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma, darbeli manyetik alanda sıçratma ABSTRACT Magnetron sputtering is the most widely used process for the physical vapour deposition of thin films. In the years of initial application of this technique, despite the attained of coating were not desirable, with the development of magnetron sputtering, it is now possible, to deposit high quality ****l, alloy, ceramic, highly insulating materials and multi-layer coatings. In this paper, physical vapor deposition techniques based particularly on sputtering were investigated and the basic knowledge of magnetron sputtering was presented. The developments on this technique including unbalanced magnetron sputtering, closed field unbalanced magnetron sputtering, pulsed magnetron sputtering were also discussed. Keywords: Physical vapour deposition, magnetron sputtering, unbalanced magnetron sputtering, closed field unbalanced magnetron sputtering, pulsed magnetron sputtering. GİRİŞ Malzemelerin yüzey özelliklerini değiştirmek amacıyla yapılan işlemler, hem onlara yeni mühendislik özellikler kazandırmakta, hem de malzeme israfını önleyerek ülke ekonomisine katkıda bulunmaktadır. Yüzey işlem teknolojileri özellikle 90'lı yıllardan sonra önem kazanmış olup, hem klasik hem de modern teknolojilere dayanan yüzey işlemleri çok kullanılmaya başlanmıştır. Modern teknolojilerle yapılan yüzey işlemlerinde, buhar fazından yapılan kaplamalar çok hızlı teknolojik ve bilimsel gelişmelerin sağlandığı kaplama tekniklerinin başında gelmektedir. Bunun temel nedenlerinden biri, seramik kaplamaların bu teknikler kullanılarak oldukça kolay yapılabilmeleridir. Buhar fazından yapılan kaplamalar içinde fiziksel buhar biriktirme teknikleri, bu tekniklerin tribolojik amaçlı seramik kaplamaların yapılmasında çok iyi sonuçlar alınması nedeniyle son 15 yılda yaygınlaşmaya başlamıştır. [1] Fiziksel buhar biriktirme tekniklerinin buharlaştırmaya ve sıçratmaya dayanan iki temel grubu vardır. Bu gruplar buharlaştırma ve sıçratma işlemlerinin yapılma şekillerine göre kendi içlerinde gruplara ayrılırlar. Bu yazıda sıçratmaya dayalı teknikler üzerinde durularak manyetik alanda sıçratma yöntemlerindeki gelişmeler incelenecektir. SIÇRATMAYA DAYALI TEKNİKLER Vakum ortamında katı haldeki kaplama ****li (hedef malzeme) yüzeyinin enerjili iyonlarla bombardıman edilerek malzemenin buharlaştırıldığı sıçratma yöntemi, ince film kaplamaların biriktirilmesinde kullanılan çok önemli proseslerden biridir. Sıçratma ile alt****l yüzeyi istenen bir ****lle kaplanabildiği gibi, reaktif kaplama denilen ve buharlaştırılan malzemenin istenilen bir gazla alt****l yüzeyinde bileşik oluşturması sağlanabilir. Böylece sert seramik filmler veya bileşik malzemelerden üretilen kaplamalar yapılabilir.
Sıçratma sistemi, negatif d.c. veya r.f. potansiyel uygulamalı bir hedef malzeme ile alt****l tutucusunun bulunduğu bir vakum odasından oluşur. Alt****l tutucusu hedef malzeme ile karşılıklıdır ve topraklanabilir, negatif potansiyel uygulanabilir veya kendi halinde bırakılabilir. Aynı zamanda ısıtılabilir veya soğutulabilir. Sistem basıncı, 10-3 - 10-2 mbar aralığında tutulur ve şerare etkisi veya plazmanın başlatıldığı bir ortam sağlamak için sıçratma gazı olarak argon ile doldurulur. Sistem şematik olarak Şekil 1'de gösterilmiştir. [2] Hedef malzemeye 2-3 kV'luk negatif potansiyel uygulayarak oluşturulan plazmadaki pozitif iyonlar, hedefe çarparak momentum değişim mekanizmasi ile hedef atomlarını yerlerinden çıkarırlar. Hedef malzemesinin atomlarının bu şekilde malzemeden uzaklaştırılması sıçratma olarak bilinir. Sıçratılan iyonların bazısı alt****l yüzeyine giderek orada birikir ve bir film oluşturur. Sıçratma sırasında hedef yüzeyine pozitif yüklü iyonların çarpması ile başka ara etkimeler de meydana gelebilir. Örneğin çarpmanın etkisi ile çıkan ikincil elektronlar, nötr haldeki sıçratma gazı atomlarının ilave iyonizasyonuna neden olabilir. Sıçratma ile, birçok malzeme başarılı bir şekilde biriktirilmesine rağmen, birikme hızının ve plazma içindeki iyonlaşma etkisinin düşük olması, alt****l sıcaklığının yükselmesi sistemin kullanımını sınırlamıştır. Son yıllarda sıçratma teknolojisindeki gelişmelerin çoğu, manyetik alanda yapılmıştır. Bunun nedeni, manyetik alanda sıçratma yöntemi ile yapılan kaplamaların, mikroelektronik, optik, türbin bıçakları, manyetik ve optik diskler, kesici takımlar ve solar kontrol endüstrisi gibi birçok endüstriyel alanda kullanılmasıdır. [2-5]  Sıçratma sistemindeki eksiklikleri gidermek amacıyla sıçratma kaynaklarında yapılan değişiklikler, daha gelişmiş sistemleri ortaya çıkarmıştır. Bu sistemler gelişme sırasına göre aşağıda verilmiştir. (1) Diyot sıçratma sistemi (2) Konvansiyonel manyetik alan (3) Dengesiz manyetik alan (4) Elektron şuası, r.f. veya mikrodalga deşarj kullanan gelişmiş iyonizasyonlu manyetik alan (5) Düşük basınçlı manyetik alan (6) Yüksek hızlı manyetik alan ve kendi kendine sıçratmalı manyetik alan (7) Ferromanyetik malzemeler için sıçratma kaynağı Diyot sıçratma, sıçratma etkisinin zayıf olması nedeniyle çok kullanılmamıştır. Konvansiyonel ve dengesiz manyetik alanda sıçratma sistemleri, manyetik alan (~200 gauss) kullanılır. Bunun için kalıcı mıknatıslardan veya elektromıknatıslardan yararlanılır. Gelişmiş iyonizasyonlu manyetik alan ve düşük basınçlı manyetik alan sistemleri, mikronüstü kaplama teknolojisinde büyük gelişmelere neden olmuşlardır. Çok hızlı manyetik alan ve kendi kendine sıçratmalı manyetik alan sistemleri 200 W cm-2 ve üzerindeki çok büyük hedef güç yoğunluklarında çalışırlar. Ferromanyetik malzemelerin sıçratılmasının güç olması nedeniyle, geliştirilen sistemlerin hiçbiri endüstriyel üretim için uygun olmamıştır. Bu konudaki çalışmalar günümüzde de devam etmektedir. [6,7] Manyetik Alanda Sıçratma Manyetik alanda sıçratma yöntemi, farklı bileşimde sert kaplamalar biriktirmek için kullanılmasına rağmen, önceleri takım kaplama prosesi olarak başarılı olamamıştır. Ancak daha sonra, manyetik alanda sıçratma sisteminde yapılan değişiklikler, yöntemi en gelişmiş sıçratma sistemi haline getirmiştir. Bu yöntemde hedef malzemesi, su soğutmalı mıknatıs veya elektromıknatıslardan oluşan tutucunun üzerine yerleştirilmiştir. Hedefin merkez ekseni, mıknatısın bir kutbunu oluşturur. İkinci kutbu ise, hedefin kenarlarına yerleştirilen mıknatıslar tarafından halka şeklinde oluşturulur. Mıknatısların bu şekilde düzenlenmesi, elektrik ve manyetik alanların hedef üzerinde birbirine dik olmasını sağlar. Manyetik alanlar dairesel veya dikdörtgen şeklinde düzenlenebilir. Dairesel düzenli manyetik alanlardaki manyetik alanın şekli ve hareket yolu Şekil 2'de gösterilmiştir. Hareket yolunu ifade eden ExB değerinde, E elektrik alanı, B ise manyetik alanı ifade etmektedir. ExB hareket yolu hedef yüzeyine paraleldir ve kapalı halka oluşturur. Böylece iyon bombardımanı ile katod yüzeyinden yayınan ikincil elektronlar, bu bölgede özellikle tutularak iyonizasyonun artmasına ve plazmanın daha yoğun olmasına neden olurlar. [2,8] İyonizasyon etkisinin artması, ana sıçratma sistemlerinden daha düşük çalışma basınçlarında plazma oluşturabilen manyetik alanlar meydana getirir. Çalışma basıncının düşürülmesi ile, sıçratılan hedef atomlarının gaz fazındaki saçınması daha az olacağından alt****le ulaşan tanecik sayısı artar ve bunun sonucunda birikme hızları nispeten yüksek (dakikada birkaç mikron) olur. Pratikte birikme hızını kontrol eden faktörler ise, hedef malzemesi, alt****l-hedef mesafesi, hedef bölgesindeki güç yoğunluğu, hedef alanı ve basınçtır. Manyetik alanda sıçratma yöntemleri, dengeli ve dengesiz manyetik alanda sıçratma adı altında iki genel grupta toplanır. Yöntemler temelde aynı olmasına rağmen, hedef malzeme önünde oluşturulan plazmanın kapanma şeklindeki farklılık nedeniyle birbirinden ayrılmaktadır.  Konvansiyonel Dengeli Manyetik AlandaSıçratma: Konvansiyonel dengeli manyetik alanda sıçratma yönteminde, hedef ****linin ön kısmında oluşan kapalı plazma, plazmanın yoğun olduğu bölgedir ve normal çalışma koşullarında, hedeften itibaren yaklaşık 60 mm. mesafededir. Yoğun plazma bölgesi içine yerleştirilen alt****ller, film büyümesi sırasında yeterli miktarda iyon bombardımanına uğradıklarından filmin fiziksel ve kimyasal özellikleri istenildiği gibi değiştirilebilir. Film özelliklerindeki değişimler, yüzeye çarpan iyon enerjisi, birikme hızı ve alt****lde ölçülen iyon akım yoğunluğu ile kolayca kontrol edilebilir. Ancak alt ****l plazma bölgesinin dışına yerleştirilirse, burada plazma yoğunluğu az olacağından (iyon akım yoğunluğu 1mA/cm2) filmin mikroyapısını ve özelliklerini etkileyen iyon bombardımanı yetersiz olacaktır. (Şekil 3a). Bu nedenle konvansiyonel manyetik alanda sıçratma ile, büyük ve karmaşık parçalar üzerine çok yoğun ve kaliteli kaplamalar yapmak çok zor olacaktır. Ancak bu yöntemle alt****l fazla ısınmadığından plastikler gibi sıcaklığa hassas malzemeler üzerine de kaplama yapmak mümkündür. [2,8-14]. Konvansiyonel manyetik alanda sıçratma yönteminde, film birikmesi sırasında iyon bombardımanını arttırmak için alt****le negatif potansiyel uygulanır. Ancak iyon bombardımanını daha fazla arttırmak amacıyla negatif potansiyelin büyük seçilmesi, hem tane içi hataların oluşumuna hem de film içindeki gerilmeyi arttıracağından, özellikle sert kaplamaların birikmesi sırasında istenmeyen etkiler ortaya çıkabilir. Alt****le iyi yapışmayan kötü kalitede kaplamalar elde edilir. Filmin mikroyapısını ve yapışmasını geliştirmek için, “düşük negatif potansiyel-yüksek akım yoğunluğu” tavsiye edilmektedir. Düşük negatif potansiyel değerinde 2mA/cm2'den daha büyük akım yoğunluklarının, tamamen yoğun, sert kaplamalar verdiği tespit edilmiştir. Yine de çok kaliteli kaplamaları bu yöntemle elde etmek mümkün olmamıştır. Kaplama kalitesini geliştirmek amacıyla iyonizasyonu arttırılmış yeni sıçratma sistemleri geliştirilmiştir. Sıçratma sistemlerinde plazma iyonizasyonunu arttırma iki şekilde mümkün olmuştur. 1. İlave gaz iyonizasyonu 2. Plazma kapanması (kapalı plazma alanı kullanımı) İlave gaz iyonizasyonu, sıcak katot elektron emisyon kaynağı veya delik katot ark elektron kaynağı kullanarak sağlanabilir. Plazma kapanması ise, dengesiz manyetik alanlar veya manyetik aynaların kullanımı ile mümkün olmuştur (7,8). Bu yazıda daha çok dengesiz manyetik alanlar üzerinde durulacaktır.  Dengesiz Manyetik Alanlar Window ve Savvides (15,16), konvansiyonel manyetik alan yönteminde mıknatısların manyetik alan konfigurasyonunu değiştirerek bu yöntemi geliştirmişlerdir. Dengesiz manyetik alan yönteminde, manyetik alanın dış mıknatısları, merkezdeki mıknatısa göre daha kuvvetli seçilerek plazmanın manyetik alan çizgilerini takip etmesi ve alt ****le kadar yayılması sağlanabilir. (Şekil 3b). Manyetik alanın dengesini bu şekilde bozarak, plazmanın, hedef ve alt****l arasında, manyetik alan yardımıyla kapanması sağlanır. Böyle bir konfigurasyon, sıçratma sırasında üretilen ikincil elektronlardan çoğunun, manyetik alan çizgileri boyunca hedef ****lden alt****le doğru gitmesini sağlar. Pozitif iyonlar da elektrostatik çekimle elektronları takip edeceğinden alt****l yakınında iyonizasyon gelişir ve alt****l yüzeyindeki iyon bombardımanı artar [2,7,10,11,14,17]. Biriken filmin iyon bombardımanını daha fazla arttırabilmek için ilave manyetik alan düzenleri de kullanılmıştır. Alt****lin arkasına, merkezi kutupla zıt kutuplu mıknatıslar yerleştirerek, elektromıknatıslar kullanarak veya dış kutupların mukavemetini arttırmak için kuvvetli, nadir toprak mıknatıslar kullanarak iyon enerji akımı arttırılabilir [7,8,14]. Yine de tek mıknatıs kaynağı kullanarak karmaşık şekilli parçalar üzerine üniform kaplama yapmak oldukça zordur. Bu nedenle dairesel birikme odasının duvarlarına birden fazla dikdötgen mıknatıslar monte edilerek, alt****lin mıknatısların arasında kalması ve böylece kaplamanın homojenliğinin kontrolü sağlanır. Bunun için birden fazla manyetik alan sistemi biraraya getirilerek kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma yöntemi geliştirilmiştir [8-10]. Kapalı Alan Dengesiz Manyetik Alanda Sıçratma Kapalı alan dengesiz manyetik alan sisteminde, iki veya daha fazla manyetik alan vardır. İki tane dengesiz manyetik alan birbirine ters olacak şekilde, yani aynı kutuplar karşılıklı (ayna görüntüsü) veya zıt kutuplar karşılıklı (kapalı alan) olacak şekilde yerleştirilerek (Şekil 4), çiftli manyetik kapalı alan meydana getirilir. Ayna görüntüsü düzeninde, her iki manyetik alan çizgilerinin birbiri ile etkileşmesi şekilden de görüldüğü gibi, yana doğru yayılmaktadır. Böyle bir düzen, çizgileri takip eden ikincil elektronların plazmadan kaçmasına neden olabilir. Sonuçta at****l bölgesinde plazma yoğunluğu düşer ve birikme sırasında iyon bombardımanı azalır. Kapalı alan düzeninde ise, mıknatıslar arasındaki manyetik alan çizgileri, plazma içindeki elektronlar için kapalı bir tuzak oluşturur. Kapalı alan düzeninde elektronların dışarı kaçma ihtimali çok az olduğundan, alt ****l bölgesinde yoğun bir plazma elde edilir, bu da büyüyen filmin uğrayacağı iyon bombardımanını arttırır. Çok kaliteli filmler biriktirebilmek, alt ****le negatif potansiyel uygulayarak mümkün olur. Sistemdeki iyonizasyonla ilgili olan alt****le uygulanan negatif potansiyel, konvansiyonel iyon kaplama ile karşılaştırıldığında çok düşüktür (yaklaşık - 50V) [2,8-10,17]. Manyetik alanda sıçratma yöntemleri içinde en pratik ve çok yönlü olan bu yöntem, büyük ve karmaşık şekilli alt****ller üzerine yüksek birikme hızlarında kaliteli ****l ve alaşım kaplamanın yanısıra çok katlı tabakalar oluşturmak, oksit, nitrür ve karbür gibi seramik kaplama yeteneğine de sahiptir. Teer ve ark. tarafından geliştirilen çoklu manyetik alan düzenleri, karmaşık parçalar üzerine titanyum nitrür, alaşım nitrürler, elmas benzeri karbon ve molibden disülfit biriktirmek için kullanılmıştır. Homojen bir birikme sağlamak için dönen parçanın etrafına dörtlü dengesiz manyetik alan yerleştirilmiştir. Böyle bir düzende, komşu manyetik alanlardaki farklı mıknatıs polariteleri, manyetik alanın kapanmasını sürekli yaparak kapalı alan oluşmasını sağlar (Şekil 5) [3,8,10,13]. Alt****le yüksek iyon akımı gönderebilme ve enerjiyi değiştirebilme yeteneği, dengesiz manyetik alanda sıçratma yöntemini çok yönlü kaplama sistemi yapmıştır. Çok kaliteli ****l kaplamalar, kaplama parametrelerini geniş bir aralıkta değiştirerek kolayca biriktirebilir. Ayrıca iletken olmayan alt****ller üzerine titanyum oksit, indiyum kalay oksit ve silisyum oksit gibi kaplamalar, reaktif sıçratma ile biriktirilebilir [8]. Kaliteli ve üniform birikme, mıknatısları numune etrafına yerleştirerek sağlanabildiği gibi, birikme sırasında mıknatıslar etrafında birkaç eksende dönebilen (1,2 veya 3 eksenli) numuneler kullanılarak da yapılabilir. Tek ****l bileşikleri (örn: TİN ZrN, CrN) ve birçok saf ****lin reaktif birikmesi için tek eksenli dönme yeterlidir. Numunenin iki eksende dönmesi, karmaşık şekilli parçalarda üniformluğun çok iyi kontrolü ve karmaşık nitrür alaşımlarının (örn; TİZrN, CrZrN) ve çok tabakalı yapıların birikmesi için gereklidir. Pratikte kullanımı az olmasına rağmen, üç eksende dönebilen numuneler üzerine karışık alaşımların homojen birikmesi de mümkün olmuştur [18].  Darbeli Manyetik Alanda Sıçratma AI2O3 gibi yalıtkan malzemelerin fiziksel buhar biriktirme yöntemi ile kaplanması, r.f. diyot sıçratma kullanılarak AI2O3 hedeften veya argon/oksijen atmosferinde AI hedeften reaktif olarak yapılmıştır. Bu şekilde yapılan AI2O3 kaplamanın birikme hızının düşük ve yapısının da amorf olması, onların takım malzemeleri kaplamasında kullanımını sınırlamıştır. Kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma yöntemi ile yalıtkan malzemelerin reaktif kaplanması sırasında birikme hızı mm/saat (****lik kaplamalarda mm/dak) değerine düşmekte ve sıçratma sırasında meydana gelebilecek ark deşarjları, hedeften makrotaneciklerin çıkmasına neden olduğundan hatalı ve homojen olmayan filmler meydana getirmektedir. Geliştirilen darbeli manyetik alanda sıçratma yöntemi, bu problemleri büyük ölçüde ortadan kaldırmıştır. Yalıtkan malzemelerin biriktirilmesi sırasında, manyetik alan deşarjını orta frekanslarda (10-200 kHz) darbeli yaparak yani hedefe, dönüşümlü pozitif ve nagatif darbeler uygulayarak, deşarj kararlı yapılabilir ve film içinde hata oluşumu engellenir. Film biriktirme hızı da ìm/dak değerine yaklaşır. Darbeli manyetik alanda sıçratma yönteminde, tek manyetik alan deşarjı darbeli ise, sistem tek kutuplu darbeli sıçratma olarak tariflenir. Bu durumda yalıtkan tabakanın yüklenmesi zaman alacağından darbe süresi sınırlıdır, sonuçta ark meydana gelebilir. Eğer iki manyetik alan aynı darbeyi destekleyecek şekilde birleştirilirse, iki kutuplu darbeli sıçratma sistemi gelişir. Böyle bir sistemde, her manyetik alan dönüşümlü olarak deşarjın anot ve katotu olabileceğinden, periyodik kutup değişimi yalıtkan tabakaların deşarjını geliştirir, böylece ark oluşumu önlenir. Darbeli d.c. güç kaynaklarının pahalı olması nedeniyle, onların yerine, ark oluşumunu önleyen d.c. güç kaynakları kullanılmıştır. Hedef ile d.c. güç kaynağı arasına yerleştirilen ark önleme birimi, anlık olarak polariteyi ters çevirir ve katot potansiyelinin miktarını azaltır. Hedef potansiyeli pozitif olduğu zaman, elektronları deşarj bölgelerine çeker [2,9,17]. Arnell ve ark. [2,9,19], darbeli manyetik alanda sıçratma prosesini kullanarak, reaktif sıçratma prosesi ile alumina filmler yapmaya çalışmışlar ve hatasız, yoğun, stokiyometrik bileşimde, yaklaşık 20000 Mpa civarında mikrosertliğe sahip alumina filmler elde etmişlerdir. SONUÇ Fiziksel buhar biriktirme yöntemindeki gelişmeler, diğer kaplama yöntemleriyle yapılamayan veya istenen kalitede olmayan ince film kaplamaların uygulanmasını sağlamıştır. Dengesiz manyetik alanda sıçratma, kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma, darbeli manyetik alanda sıçratma yöntemleriyle iletken, yalıtkan, çok katlı ve süperkafes kaplamalar yapılmış ve çok iyi sonuçlar elde edilmiştir. Konvansiyonel dengeli manyetik alanda sıçratma yönteminde, alt ****l yüzeyine ulaşan iyon yoğunluğu yetersiz olduğundan filmin mikroyapısını ve özelliklerini geliştirmek amacıyla dengesiz manyetik alanda sıçratma yöntemi geliştirilmiştir. Ancak bu yöntemde de karmaşık şekilli parçalar üzerine üniform kaplama yapma zorluğu, iki veya daha fazla manyetik alan kullanarak kapalı alan düzeninin geliştirilmesine neden olmuştur. Bu amaçla geliştirilen kapalı alan dengesiz manyetik alanda sıçratma yöntemi, manyetik alanda sıçratma yöntemleri içinde en pratik ve çok yönlü bir yöntem olmuş, büyük ve karmaşık şekilli alt****ller üzerine yüksek birikme hızlarında kaliteli ****l ve alaşım kaplamanın yanısıra çok katlı tabaka, oksit, nitrür ve karbür gibi seramik kaplama yapma yeteneğine de sahip olmuştur. AI2O3 gibi yalıtkan filmlerin bu yöntemlerle istenilen özellikte biriktirilememesi de darbeli manyetik alanda sıçratma yönteminin gelişmesini sağlamıştır. Bu yöntemle biriktirilen alumina filmler, düşük kırılma indisi, çok yüksek direnç, yüksek sertlik ve aşınma direnci gibi özellikleri nedeniyle optik, mikroelektronik endüstrisinde ve kesici takım uygulamalarında kullanılmıştır.
__________________
 Hatırlatmayın bana dokuzu beş geçeyi Hele puslu geçen o geceyi Söyletmeyin kasım adlı iki heceyi Bu benim en büyük yasım Bu atamın öldüğü tarih on kasım Türkle Kürdün yoldaş olduğu, Çerkezle Lazın adaş olduğu Alevi Sünninin gardaş olduğu, Mukaddes topraktır vatan Şehitlerin koyun koyuna yattığı, Dosta gurur düşmana korku saldığı Dünyanın hayran kaldığı, Cennet Türkiyem’dir vatan Dağda Üç Beş Domuz Sürüsü Tutturmus Bir Kürdistan Türküsü Eline Almış Bayrak Diye Bir Masa örtüsü Soyu Soysuz Olan Sensin Toprak Senin Neyine İte İtlik Yapıp Kafa Tutma Beyine Anlasa Dediğimi Sokaktaki Köpek Ağlar Haline Duy Ulan Soysuz Ne Mutlu Türk'üm Diyene!!!  |
|
|
|
| Reklamlar |
|
|
 |
| Etiketler |
| alanda, manyetik, sıçratma, yontemi |
Şu an bu konuyu görüntüleyen üye sayısı: 1 (0 üye ve 1 misafir) |
|
| Konu Araçları | |
| Mod Seç | |
Linear Mode
|
|
|
||||
| Konu | Konuyu Başlatan | Forum | Cevap | Son Mesaj |
| Manyetik Rezonans | IceMaN | Kimya | 0 | 09-06-2008 12:20 |
| Nükleer Manyetik Rezonans | IceMaN | Kimya | 0 | 05-06-2008 19:13 |
| Manyetik deprem | IceMaN | Fizik | 0 | 31-05-2008 15:10 |
| Dar Alanda Kısa Paslaşmalar | DarkgirL | Online Yerli Film | 0 | 06-12-2007 10:53 |
| Tüp Bebek Yöntemi | ultrAslan | Fitness & Sağlıklı Yaşam | 0 | 26-08-2007 22:56 |
Bütün Zaman Ayarları WEZ +3 olarak düzenlenmiştir. Şu Anki Saat: 09:57 .
